Dongguan Jianchuang Electronic Technology Co., Ltd.

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Circuito a film sottile ceramico

Circuito a film sottile ceramico

Il tuo esperto di fiducia nella produzione di circuiti e sensori a film spesso/sottile.
Anni di accumulo tecnologico.
La nostra azienda fornisce metallizzazione a foro passante per circuiti in ossido di alluminio, nitruro di alluminio, ossido di berillio e substrati a microonde, che possono essere messi a terra a mezzo foro o a foro intero. La resistenza del foro passante non deve superare i 50 milliohm. Circuito a film sottile ceramico

  • Personalizzato Fornire servizi personalizzati
  • Valore di resistenza del blocco 20~100Ω
  • Coefficiente di temperatura della resistenza (-55~+125℃) / ≤±150ppm/℃
  • Stabilità della resistenza (2000 ore, 125℃) / ≤±0,025%

vantaggi

Cinque vantaggi per offrirti una buona esperienza utente.

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Certificazioni di prodotto multiple

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Artigianato squisito

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Leggero

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Piccole dimensioni

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Lunga durata di servizio

caratteristica

☑ Elevata integrazione e dimensioni ridotte.

☑ Ampia gamma di parametri dei componenti ed elevata precisione.

☑ Elevato stress meccanico, buone caratteristiche di frequenza della temperatura e buone proprietà di isolamento.

☑ Realizzato con ingegno, la scelta della qualità.

Caratteristiche del prodotto e ambito di applicazione

Deposizione di film sottili funzionali su substrati circuitali come allumina, nitruro di alluminio, ossido di berillio, ferrite, vetro microcristallino, quarzo, ecc., integrando induttori a film sottile, resistori a film sottile, condensatori a film sottile, linee a microstriscia, ecc. sulla stessa scheda per formare circuiti a film sottile. Può funzionare fino a 40 GHz, con elevata integrazione e dimensioni ridotte. I prodotti includono circuiti a film sottile, piastre di supporto ceramiche, piastre di cortocircuito e piastre dissipatrici di calore, substrati dielettrici per microonde, piazzole di saldatura preformate in oro-stagno, ecc. Adatto ai requisiti di banda di frequenza della maggior parte dei moduli di componenti RF a microonde, come circuiti a microstriscia a film sottile e filtri a film sottile.

Circuito a film sottile ceramico (1)
Circuito a film sottile ceramico (2)
Circuito a film sottile ceramico (3)
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Parametro del prodotto

Nome del prodotto

Circuito a film sottile ceramico

Personalizzato

Fornire servizi personalizzati

Valore di resistenza del blocco

20~100Ω

Densità di potenza teorica (W/mm2)

5(1,0*1,0mm) 99,6% 0,254 Al2O3

9(1,0*1,0mm) 98% 0,254 AlN

12(1,0*1,0mm) 99,5% 0,254 BeO

Coefficiente di temperatura della resistenza

(-55~+125℃)/ ≤±150ppm/℃

Stabilità della resistenza

(2000 ore, 125℃) / ≤±0,025%

Capacità a breve termine di resistere ad alte temperature

-55°C+850°C

Precisione della resistenza

±10%,±15%,±20%,(±5% opzionale)

Materiali chiave

Ceramiche di precisione ad alte prestazioni come nitruro di alluminio, ossido di alluminio, ossido di berillio, vetro microcristallino, quarzo, ecc.

Substrato e prestazioni

Attributo

ossido di alluminio

nitruro di alluminio

ossido di berillio

Quarzo

Purezza

99,60%

98%

99,50%

99,50%

rugosità superficiale

0,05∽0,20μm

0,10∽0,20μm

0,10∽0,20μm

0,01∽0,05μm

Densità

3,87 g/cm3

3,28 g/cm3

2,85 g/cm3

2,65 g/cm3

Deformazione

0,2~0,3

0,3~0,5

0,3~0,5

0,3~0,8

Coefficiente di dilatazione termica

7,0~8,3(25~1000°C) ×10-6/°C

4,6~5,0(25~300°C) ×10-6/°C

8,0~10(25~1000°C) ×10-6/°C

0,55~0,60(25~1000°C) ×10-6/°C

conducibilità termica

26,9 W/mK

≥170W/mK

≥270W/mK

9,5~10 W/mK

Costante dielettrica

9,9±0,1@1MHz

8,6±0,2@1MHz

6,5±0,2@1MHz

3,3±0,2@1MHz

Costante dielettrica

9,5±0,2@10GHz

8,3±0,2@10GHz

6,1±0,2@10GHz

3,0±0,2@10GHz

Perdita dielettrica

0,0001 a 1 MHz

0,001 a 1 MHz

0,0004 a 1 MHz

0,0002 a 1 MHz

Fattore di qualità

5000 a 10 GHz

500 a 10 GHz

400 a 10 GHz

3000 a 10 GHz

Codice dielettrico

( T ) A

( T ) N

( T ) B

Sistema di metallizzazione

Funzione

Metallo

Estensione

Note

strato di resistenza

Tan

10-200 ohm per metro quadrato

Resistenza standard 50, 75100 euro/metro quadro

Strato di adesione

Di

800~1200Å

Levigatezza della superficie del substrato Ra ≤ 10nm, utilizzando Ti come strato adesivo

TiW

800~1200Å

Lo strato adesivo più comunemente utilizzato

NiCr

300~800Å

Strato adesivo opzionale

Punto

300~800Å

 

Tan

200~600Å

 

strato barriera

In

Di solito 0,1~0,2μm, massimo 2,0μm

Garantire l'affidabilità della saldatura SnPb e AuSn

Strato di banda di conduzione

Con

1,0~75μm, solitamente 10~35μm

 

A

0,5~8,0μm, di solito ≥4,0μm

 

Casi di applicazione

I filtri a film sottile sono comunemente utilizzati in vari moduli e sistemi di componenti a microonde come unità funzionale per la selezione della frequenza. Nel settore aerospaziale, i circuiti a film sottile ceramico sono comunemente utilizzati per produrre moduli di circuiti a microonde ad alta precisione, come amplificatori a basso rumore, filtri, sfasatori, ecc., grazie alla loro elevata integrazione, alle dimensioni ridotte e all'eccellente stabilità termica. L'applicazione dei circuiti a film sottile ceramico nei data center, nelle stazioni base 5G, nei veicoli a nuova energia, nei sensori intelligenti e in altri settori è in costante aumento. Grazie alla loro elevata precisione e affidabilità, la domanda per questi scenari applicativi è in costante aumento.

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